晶圆厂疯建，光刻机却卖不[动了,晶圆光刻工艺

更新时间：2026-02-14 15:11 来源：牛马见闻

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ASML 首席执行官 Christophe Fouquet预计High NA EUV光刻机将于2027~2028年正弌ASML就向英特尔交付了首台High-NA EUV光刻机�ASML 2026年High-NA EUV出货量或仅4台�

2025年，全球晶(圆厂的]扩产节奏明显加快，但一个反常现象出现了：光刻机的出货总量却在下降。 从当前全球光刻机的市场供应格局来看，具备商用光刻机批量生产能力的厂商仍高度集中，核心玩家仅有荷兰 ASML、日本佳能、日本尼康三家；国内虽有部分企业实现了光刻机的小批量出货，但因尚未形成规模化量产规模，暂未纳入本次主流市场的统计范畴。 01 光刻机三巨头，出货几何？ ASML，出货约327台 回顾过往，2016年及以前，ASML的EUV光刻机年出货量仅1-5台，DUV光刻机年出货量约150台；2017年后，EUV出货量逐年攀升，2023年达到峰值53台，同期DUV出货341台；2024年，ASML光刻机总出货量创下历史最高，为418台。 但2025年这一趋势出现转折。根据ASML发布的2025财年业绩报告，第四季度新售出光刻系统94台、二手系统8台；全年新光刻系统300台、二手系统27台，相比2024年的380台新系统、38台二手系统，出货总量明显下滑。 分机型来看，EUV光刻系统表现亮眼，销售额同比增长39%至116亿欧元，对应确认48台收入，首台EXE:5200B系统完成现场验收并入账；DUV光刻系统则有所承压，销售额同比下降6%至120亿欧元，确认279台收入，首款面向3D集成市场的XT:260系统已交付并确认收入。两者合计，2025年ASML已确认收入的光刻机约327台，较2023年、2024年显著回落。 中国市场仍是ASML的重要支撑，2025年占其净系统销售额的33%，位居全球首位，但这一比例较2024年的41%有所下降。为满足中国内存厂商的需求，ASML计划2026年第四季度推出新款浸润式DUV NXT：1965i。该机型由1980i系列降规而来，既符合美国出口规范，又能适配中国内存企业的需求，有望为2026年四季度及2027年业绩提供助力。 展望未来，依据蔡司半导体的扩产规划，ASML预计2027年EUV出货量将达80-85台，DUV出货量将达380-400台，重回增长轨道。 尼康+佳能：合计出货约318台 尼康与佳能暂未公布2025年光刻机准确出货数据，但从两家财报预测中可大致推算。其中，尼康2025年4-9月半导体光刻机销量为9台，低于去年同期的10台；同时，尼康将本年度销量目标从上调前的34台下修至29台，略高于2024年的28台。 佳能的表现相对稳健，2025年一季度半导体光刻设备销量56台，同比增加7台；尽管将本年度销量目标从308台下调至289台，但相较于2024年的233台，仍能实现24%的同比增长。 综合两家目标推算，2025年尼康与佳能合计出货量约为318台。 据此计算，2025年全球三大光刻龙头的光刻机总出货量约为645台。 02 中国光刻机进口数，下滑！ 伯恩斯坦根据中国海关公开数据，对2025年中国半导体晶圆制造设备（WFE）进口情况进行了回溯分析。结果显示，2025年中国晶圆制造设备进口总额达391.66亿美元，同比增长3%，创下历史新高；其中12月单月进口额45.08亿美元，环比增长84%，成为全年进口峰值。 光刻机进口方面，2025年全年进口额与2024年基本持平，仅同比下滑1%，但12月光刻机进口额达23亿美元，创下月度历史纪录。（相关进口指标包括：沉积、干法刻蚀、光刻机、过程控制系统、材料去除与清洁、其他，以及对应总额和不含光刻的总额） 受美国出口限制影响，ASML预计，2026年中国占销售额的比例将降至20%。 DUV 是国内光刻机的主要进口品类。一方面，国内半导体产业正处于成熟制程扩产、特色工艺突破的关键阶段，DUV 的技术特性可覆盖 7nm 及以上绝大多数制程需求，与产业现阶段发展节奏高度匹配；另一方面，EUV 受美国技术管控无法正常进口，国内企业只能通过加大 DUV 进口，弥补先进制程发展受限的缺口，同时保障成熟制程的产能释放。 近年来国内持续增加光刻机进口，核心原因有三： 其一，内存芯片制造是进口DUV的第一大应用场景。国内主流内存企业2025年持续推进3D NAND与DDR4/DDR5内存的扩产，而3D NAND的堆叠层数提升、DDR内存的制程优化，均高度依赖DUV光刻机——尤其是ASML的ArF浸没式DUV，可通过多重曝光技术实现更高的图形精度，支撑国内3D NAND堆叠层数向500层以上突破，同时降低存储芯片的单位成本。 其二，成熟制程逻辑芯片生产，也是DUV进口的核心刚需。2025年，国内主流晶圆代工企业持续扩产28nm、40nm等成熟制程，广泛应用于消费电子、物联网、汽车电子等领域，而DUV正是这类制程的核心光刻设备。其中，ArF浸没式DUV主要用于28nm（HKC+工艺）的生产，可实现高精度图形曝光，保障芯片性能；KrF干法DUV则用于40nm及以上制程，兼顾生产效率与成本控制。 其三，特色工艺与功率半导体制造，进一步拓宽了DUV的应用边界。在功率半导体领域（如IGBT、MOSFET），国内相关企业2025年加速扩产，这类芯片对光刻精度的要求相对较低，尼康、佳能的KrF干法DUV基本可以满足需求，用于功率芯片的基片光刻、栅极图形制作等环节，支撑新能源汽车、光伏、储能等领域的功率芯片供应。此外，在射频芯片、传感器等特色工艺领域，DUV可通过灵活的曝光方案，适配不同芯片的结构需求，弥补高端光刻设备缺失的短板。 03 谁，拥有最多的光刻机？ 在先进制程芯片的制造版图上，EUV（极紫外）光刻机早已不是 “可选项”，而是决定产业话语权的 “入场券”。那么，谁拥有最多的光刻机呢？ 自 ASML 在 2016 年正式量产 EUV 光刻机以来，这十年间全球累计交付的 EUV 设备约为 309 台。其中，台积电独占 157 台，占比高达50.8%—— 全球一半的 EUV 产能都被这家中国台湾代工厂收入囊中。紧随其后的是三星，其工厂内部署了 76 台 EUV；Intel 则拥有 35 台，SK 海力士 29 台，美光 5 台，而 2022 年才成立的日本 Rapidus 公司，也拿到了 1 台 EUV 作为先进制程布局的起点。 台积电 157 台 EUV 的保有量，绝非简单的 “设备采购”，而是其在先进制程代工领域构建霸权的核心支点。从 2019 年首次在 N7 + 工艺中引入 EUV 开始，台积电就将 EUV 与客户需求深度绑定：苹果 A 系列、高通骁龙、英伟达 GPU 等高端芯片的代工订单，几乎全部依赖台积电的 EUV 产能。 三星 76 台 EUV 的布局，折射出其在半导体领域 “双线作战” 的战略困境：一方面，在逻辑芯片代工领域追赶台积电；另一方面，在存储芯片领域维持技术领先。不过，这种双重目标导致其 EUV 资源被严重分流。 Intel 的 35 台 EUV，是其 IDM 转型的“底气”；SK 海力士（29 台）和美光（5 台）的 EUV 布局，则聚焦于存储芯片的 “工艺优化”。日本 Rapidus 的 1 台 EUV，更像是日本政府推动本土先进制程复兴的 “破冰之举”。这家成立于 2022 年的公司，得到了日本政府 5000 亿日元的补贴和 ASML 的技术支持，目标是在 2027 年量产 2nm 芯片。 然而，仅仅是EUV的竞争，还不足够。当现有 EUV的工艺极限逼近 2nm 时，ASML 推出的High-NA EUV成为了先进制程竞争的下一个核心战场。 ASML 首席执行官 Christophe Fouquet预计High NA EUV光刻机将于2027~2028年正式投入先进制程的大规模量产作业中。目前在导入新一代图案化技术上最积极的是英特尔代工，其支持 High NA EUV 的 Intel 14A 节点将在 2027 年正式推出。Fouquet 表示，High NA EUV 光刻机目前正由英特尔等客户测试，结果显示新设备的成像和分辨率表现良好，该企业2026 年的任务之一是与客户合作将设备的停机时间最小化。Fouquet还提到，ASML 对未来 10~15 年的大致技术路线已有一定的概念，该企业已启动下一代 Hyper NA EUV 的研究。 早在2023年末，ASML就向英特尔交付了首台High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5000的系统。英特尔将其作为试验机，于2024年月在美国俄勒冈州希尔斯伯勒的Fab D1X完成安装。英特尔宣布，已安装了新的TWINSCAN EXE:5200B系统。这是目前全球最先进的光刻机，属于第二代High-NA EUV，将用于Intel 14A制程节点。在ASML的合作下，已完成Intel 14A在英特尔晶圆厂的验收测试，以提高晶圆产量。 作为ASML第二代High-NA EUV系统，EXE:5200B基于2023年交付英特尔的首台研发机型EXE:5000升级而来，核心突破在于其0.55数值孔径（NA）的投影光学系统。相较当前主流的Low-NA EUV设备（分辨率约13nm），EXE:5200B可实现8nm单次曝光分辨率，彻底摆脱多重图案化（Multi-Patterning）的复杂流程。 去年3月，三星在其华城园区引入了首台ASML制造的High-NA EUV光刻机，型号为“TWINSCAN EXE:5000”。据悉，三星正计划加大对极紫外（EUV）光刻设备的投资，购买新一批EUV光刻设备。同时三星将为晶圆代工部门新增两套最新的High NA EUV设备，三星计划在2025年底和2026年初分别交付一套，用于其2nm制程的全面生产，其中一套将部署在华城厂区，另一套则可能部署在泰勒晶圆厂。 去年9月，SK海力士在韩国利川M16工厂成功引进High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5200B，是全球首款量产型High-NA EUV设备。 美国银行预测，ASML 2026年High-NA EUV出货量或仅4台，较此前预期减少50%。 值得注意的是，晶圆代工龙头台积电对High-NA EUV光刻机态度谨慎。台积电业务开发及全球销售高级副总裁张晓强2025年表示，尽管认可High NA EUV的性能，但该设备价格超过3.5亿欧元（约3.78亿美元）。目前标准型EUV光刻机仍可支撑台积电尖端制程生产至2026年，公司A16（1.6nm级）和A14（1.4nm级）工艺均不会采用High NA EUV光刻机。

编辑：斯琴格日乐